贝尔实验室肖特莱等人发明晶体管。

结型晶体管诞生。

R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺。

场效应晶体管发明。

C S Fuller发明了扩散工艺。

仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史。

H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺。

美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管。

F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍。

美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门)。

应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司。

Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现。

全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺。

RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802。

16kb DRAM和4kb SRAM问世。

64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临。

我国以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件。

Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC。

64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临。

256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世。

日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM。

16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管。

1Mb DRAM进入市场。

486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺。

我国主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化。

64M位随机存储器问世。

66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺。

Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺。

300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺。

奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺。

我国以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。

芯片制程工艺是130纳米。

奔腾4E系列推出,采用90nm工艺。

intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。

intel酷睿i系列推出,创纪录采用了32纳米工艺。

制程工艺发展到22纳米，英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。

制程工艺进入14纳米。

工艺步入10纳米。

工艺步入7纳米。

台积电发布6纳米量产导入，2020工艺进入5纳米量产。中芯国际量产14纳米芯片。

台积电3纳米导入量产。